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氦质谱检漏之脉冲激光沉积系统PLD检漏

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氦质谱检漏之脉冲激光沉积系统PLD检漏

发布日期:2024-04-29 作者:admin 点击:

脉冲激光沉积系统Pulsed laser deposition是制备高通量多晶薄膜, 外延薄膜和多层异质结构和超晶格结构的物理气相沉积设备, 通常需要保证本底真空度达到 10-8mbar, 同时高真空环境对系统配置的 RHEED 及温控系统等关键设备的寿命也至关重要。

PLD 系统需要高真空环境, 腔室是否有泄漏, 是否有内部材料放气等因素对实现高真空及超高真空很关键。 因此需要对整个系统进行泄漏检测,氦质谱检漏仪利用氦气作为示踪气体可精确定位, 定量漏点,因此广泛应用于 PLD 设备检漏。脉冲激光沉积系统 PLD 检漏方法如下:

1.启动 A100,进入待机界面,启动时间≤ 2min;

2. 设定真空模式检漏,并设定报警值,将设备通过波纹软管连接检漏仪A100,确认连接完毕;

3.按下开始键,检漏仪对设备内部抽真空,到达一定压力检漏仪开始工作,同时在设备怀疑有漏的地方喷氦气 (腔体,焊缝,连接处)。若有漏,检漏仪发出声光报警,并且显示实时漏率;

4. 检测完毕,按下检漏仪停止键,移除连接管路。

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氦质谱检漏仪A100与传统泡沫检漏和压差检漏对比,在提供无损检漏的同时可以检测出更小的漏率5E-13 Pa m3/s,利用氦气作为示踪气体可精确定位,定量漏点。

澳门威尼克斯人网站是一家专注于氦气检漏技术的研发、生产及销售的专业厂家,目前不断创新优化,打磨工艺的全过程严格按照国内标准,现已模块化制造、前瞻性工艺,低维护的设备,不断使得客户得到最优质的服务和最好的设备体验。

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本文网址:/news/494.html

关键词:氦质谱检漏仪,氦气检测仪,检漏方法

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